¿Cuáles son los rendimientos respectivos de los transistores 8050 y 8550? ¿Existe algún reemplazo?

Parámetros de los transistores 8050 y 8550

Publicado el: 23 de diciembre de 2009

Figura 1 Esquema del paquete TO-92 y apariencia de los transistores 8050 y 8550 Disposición de pines

Figura 2 Apariencia del paquete SOT-23 y disposición de pines de los transistores 8050 y 8550

Los transistores 8050 y 8550 se utilizan a menudo como pares de tubos en aplicaciones de circuitos. Por supuesto, muchas veces también. Disponible como aplicación de un solo tubo. 8050 es un transistor NPN de silicio; 8550 es un transistor PNP de silicio.

8050S 8550S S8050 S8550 Parámetros:

Potencia disipada 0.625W (SMD: 0.3W)

Corriente del colector 0.5A

Colector- tensión base 40V

Tensión de ruptura colector-emisor 25V

Frecuencia característica fT mínima 150MHZ Valor típico no se da en el catálogo del fabricante

Según el sufijo número de el transistor, se divide en engranaje B C D y el parche es engranaje L H

Ampliación B85-160 C120-200 D160-300 L100-200 H200-350

C8050 C8550 Parámetros:

Potencia disipada 1W

Corriente colector 1.5A

Colector - voltaje base 40V

Colector - -Tensión de ruptura del emisor 25V

Frecuencia característica fT mínima 100MHZ típica 190MHZ

Aumento: dividido en niveles B, C y D según el número de sufijo del transistor

Aumento B: 85-160 C: 120- 200 D: 160-300

8050SS 8550SS Parámetros:

¿Potencia disipada?: 1W (TA=25℃) 2W (TC=25℃)

Colector corriente 1,5 A

Tensión colector-base 40 V

Tensión de ruptura colector-emisor 25 V

Frecuencia característica fT mínimo 100 MHZ

Aumento: dividido en B C D D3 ***4 niveles según el número de sufijo del transistor

Ampliación B: 85-160 C: 120-200 D: 160-300 D3:300-400

El la disposición de pines es EBC ECB

SS8050 SS8550 Parámetros:

¿Potencia disipada?: 1W(TA= 25℃) 2W (TC=25℃)

Corriente del colector 1.5A

Voltaje colector--base 40V

Tensión de ruptura colector--emisor 25V

Frecuencia característica fT mínimo 100MHZ

Aumento: dividido en B C D ***3 niveles según el número de sufijo del transistor

Ampliación B: 85 -160 C: 120-200 D: 160-300

La disposición de los pines es principalmente EBC

El S8050 S8550 de UTC tiene disposición de pines EBC

8050S 8550S La disposición de pines tiene ECB

Este tipo de tubo es raro

Parámetros:

Disipación de potencia 1W

Corriente del colector 0,7 A

Tensión de la base del colector 30 V

Tensión de ruptura del emisor del colector 20 V

Frecuencia característica fT mínima 100MHZ No existe catálogo de fabricantes típicos Dado

Ampliación: Según el número de sufijo del triodo, se divide en engranaje C D E

C: 120 -200 D: 160-300 E: 280-400

NEC 8050

Corriente máxima del colector (A): 0,5 A

Ganancia CC: 10 a; 60;

Consumo de energía: 625 mW;

Voltaje máximo colector-emisor (VCEO): 25

Frecuencia: 150 MHz.

Otros 8050

PE8050 Silicio NPN 30V 1.5A 1.1W

MC8050 Silicio NPN 25V 700mA 200mW 150MHz

CS8050 Silicio NPN 25V 1.5A FT=190 * K

3DG8050 Silicio NPN 25V 1.5A FT =190 *K

2SC8050 Silicio NPN 25V 1.5A FT=190 *K

Vale la pena señalar que en

Al reemplazar el triodo 8050 o 8550 correspondiente, además de la coincidencia del modelo, el factor de amplificación también es un parámetro muy importante.